Le fabricant compte mieux répondre à la demande de circuits de puissance pour équipements automobiles et industriels.
Le site de production de composants de puissance de STMicroelectronics situé à Norrköping (Suède) vient de produire ses premières tranches de 200mm de diamètre en carbure de silicium. Ce passage à des tranches plus larges permettra au fabricant franco-italien de mieux répondre à la demande de composants de puissance à large bande interdite dans les applications automobiles et industrielles. En 2019, ST avait acquis cette usine en rachetant Norstel A.B., devenu STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. ST produit également des composants SiC sur des lignes de production 150mm à Catane (Italie) et Ang Mo Kio (Singapour), la partie test/assemblage étant assurée à Shenzhen (Chine) et Bouskoura (Maroc). Il projette également de construire une nouvelle usine afin de produire plus de 40% de ses substrats SiC en interne d’ici 2024. Dans le même temps, ST a étendu son accord avec Cree pour que ce dernier continue de lui fournir des tranches de SiC de 150mm durant les années à venir. Ce partenariat à long terme porte désormais sur plus de 800 millions de dollars.
