Jusqu’à présent, de tels Mosfet étaient seulement caractérisés pour une tension grille-source de 6 V et au-delà. Avec le SiR880DP, Vishay Intertechnology complète sa famille ThunderFET de Mosfet de puissance en tranchée (TrenchFET).
Ce transistor canal N est en réalité le premier modèle 80 V dont la résistance à l’état passant est spécifiée pour une tension grille-source de 4,5 V seulement.
Dans ces conditions, cette RDS(on) est de 8,5 mOhms, pour 6,7 mOhms et 5,9 mOhms à VGS=7,5 V et VGS=10 V, respectivement. La charge de grille est quant à elle de 23 nC à 4,5 V.
Le SiR880DP est encapsulé dans un boîtier PowerPAK SO-8. Il est typiquement destiné à la commutation côté primaire dans les architectures de conversion DC-DC avec isolation, mises en œuvre dans les applications télécoms.
Sa faible résistance à l’état passant se traduit tout naturellement par de substantielles économies d’énergie, notamment sous faible charge ou en mode veille.
