Ces doubles TrenchFET sont proposés dans un format asymétrique afin de diminuer la résistance statique du transistor côté bas.
Pour le marché automobile, Vishay Intertechnology lance deux Mosfet 40 V qualifiés AEC-Q101. Combinant Mosfet côté haut et côté bas, ces nouveaux membres de la famille TrenchFET sont destinés aux convertisseurs DC-DC synchrones. Ils sont proposés dans un format de boîtier asymétrique de type SO-8L, dont les dimensions sont de 5×6 mm. La taille du Mosfet côté bas a ainsi été augmentée afin de limiter les pertes en régime de conduction.
D’un côté, le SQJ940EP affiche une résistance à l’état passant de 6,4 mOhms pour le Mosfet côté bas (16 mOhms pour l’autre), avec une tension grille-source de 10 V. En comparaison avec les doubles Mosfet symétriques actuellement disponibles, cela représente une diminution de la résistance statique de 31 %.
De l’autre, le SQJ942EP est crédité d’une RDS(on) de 11 mOhms (bas) et 22 mOhms (haut).
