La société annonce un Mosfet 600 V à superjonction de quatrième génération, dont le facteur de mérite serait de 25% inférieur à celui de son plus proche concurrent.

Vishay Intertechnology introduit le premier membre de sa quatrième génération de Mosfet 600 V de la gamme E Series. Référencé SiHP065N60E, ce Mosfet canal N à superjonction en boîtier TO-220AB affiche des pertes réduites.

Ainsi, par rapport à son prédécesseur de calibre identique, le nouveau venu est crédité d’une résistance à l’état passant de 30% inférieure. Par ailleurs, la charge de grille est plus faible de 44%, alors que de faibles capacités de sortie ont pour effet ont pour effet de limiter les pertes en régime de commutation.

Concrètement, le SiHP065N60E affiche une résistance à l’état passant de 65mOhms à 10V et une charge de grille de 49nC. Il en résulte un facteur de mérite (le produit des deux paramètres précédents) parmi les plus bas de l’industrie pour un Mosfet de 600 V.