La famille UF3C Fast de l’américain s’enrichit de cinq modèles de 650V et 1200V dont le boîtier TO-247 est doté d’une quatrième broche faisant office de connexion Kelvin au niveau de la source.

UnitedSiC, le spécialiste américain des semi-conducteurs (FET, JFET et diodes Schottky) au carbure de silicium, complète sa famille UF3C Fast de modèles de 650V et 1200V en boîtiers TO-247-4L. Par rapport au TO-247 standard, ce boîtier dispose d’une quatrième broche faisant office de connexion Kelvin au niveau de la source. L’intérêt est d’éviter les suroscillations de grille et les basculements intempestifs qui sont susceptibles de résulter d’une forte inductance de source. La gestion de celle-ci peut alors contraindre à limiter la fréquence de commutation.

Au nombre de cinq, ces nouveaux FET en configuration cascode (avec une tension de commande standard de 12V) sont référencés UF3C120040K4S (1200 V/40 mΩ), UF3C120080K4S (1200 V/80 mΩ), UF3C065030K4S (650 V/30 mΩ), UF3C065040K4S (650 V/40 mΩ) et UF3C065080K4S (650 V/80 mΩ).

Par quantité de 1000 pièces, le prix unitaire de ces transistors va de 11$ (UF3C065080K4S) à 25$ (UF3C120040K4S).