Des chercheurs japonais en ont présenté un prototype à la conférence IEDM en début de semaine aux Etats-Unis.

Des chercheurs de l’université de Tokyo et de l’institut AIST ont développé un prototype de mémoire Sram fonctionnant sous une tension d’alimentation de seulement 0,5V.

Le prototype, qui a été présenté lors de la conférence IEDM en début de semaine aux Etats-Unis, consomme 32% de moins qu’une Sram classique avec des cellules mémoires de même taille.

Pour arriver à ce résultat, les chercheurs japonais ont remplacé les six transistors Mos classiques par des transistors ferroélectriques obtenus en insérant un matériau ferroélectrique au niveau de la grille du Mos.