Les modules mémoires 3D supporteront des débits de données allant de 15 à 30 Gbit/s.

Le consortium Hybrid Memory Cube vient de finaliser sa spécification 2.0, qui établit des débits de données allant de 15 à 30Gbit/s. Fondé en 2011 par Altera, Micron, Open Silicon, Samsung et Xilinx, ce consortium vise à développer de nouvelles technologies de mémoire plus rapides et moins gourmandes en énergie.

Partant du constat que la Dram traditionnelle n’arrive plus à suivre l’évolution des processeurs, Samsung et Micron ont décidé de mettre au point des composants intégrant des mémoires DRam et des fonctions logiques dédiées réunies au sein d’une architecture 3D utilisant des liaisons TSV (through-silicon vias).