La plate-forme de GaN Systems permet d’évaluer les performances et de concevoir des étages de puissance exploitant les transistors en nitrure de gallium de la société.

GaN Systems met à disposition diverses cartes pour évaluer les performances de ses transistors E-HEMT en nitrure de gallium. La solution du canadien prend la forme d’une carte mère universelle (GS665MB-EVB) et de quatre cartes filles. Chacune de ces dernières comprend des transistors GaN 650V, ainsi que les briques requises par un étage de puissance en demi-pont apte à fournir entre 750W et 2500W. Cela comprend les alimentations isolées, les pilotes de grille et un radiateur optionnel.

Dans le détail, ces cartes filles sont référencées GS66504B-EVBDB (750W), GS66508B-EVBDB (1500W), GS66508T-EVBDB (2000W) et GS66516T-EVBDB (2500W). Elles sont respectivement architecturées autour des transistors GaN GS66504B (650V/15A, 100mOhms), GS66508B (650V/30A, 50mOhms), GS66508T (650V/30A, 50mOhms) et GS66516T (650V/60A, 25mOhms).