Par rapport à la génération précédente, les Mosfet DTMOS V en tranchée profonde de la société afficheront une résistance à l’état passant réduite et un niveau de bruit de commutation plus bas.

Toshiba Electronics Europe annonce le développement de Mosfet à superjonction tirant profit de son dernier process en tranchée profonde DTMOS V. Par rapport à la génération DTMOS IV, la résistance statique et le niveau du bruit de commutation ont été abaissés. Par exemple, entre le TK12P60W en boîtier DPAK figurant actuellement au catalogue du japonais et le TK290P60Y, une réduction de 17% de la résistance à l’état passant a été obtenue. Les premiers modèles de 600V et 650V se présenteront en boîtiers DPAK ou TO-220SIS. La société annonce des valeurs nominales de résistance à l’état passant comprises entre 0,29 et 0,56 Ohm.

Ces Mosfet DTMOS V entendent simplifier la conception et améliorer le rendement des alimentations à découpage, des étages de correction du facteur de puissance, des systèmes d’éclairage à LED…