Caractérisé par une résistance maximale à l’état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

Toshiba Electronics Europe lance une nouvelle série DTMOS VI de Mosfet de puissance de nouvelle génération, destinés aux alimentations des serveurs des centres de données, aux conditionneurs d’énergie pour les générateurs photovoltaïques, aux alimentations secourues (UPS) et autres applications industrielles.

Le premier produit annoncé est le TK040N65Z, un Mosfet canal N à superjonction de 650V apte à supporter un courant de drain de 57A en continu, ou de 228A en régime impulsionnel. Sa résistance maximale à l’état passant est de 40mOhms (33mOhms en valeur typique), pour une tension grille-source de 10V. La charge de grille totale est quant à elle de 105nC. Par rapport à la génération DTMOS IV-H, le facteur de mérite (le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille) a été amélioré de quelque 40%. Dans un circuit PFC de 2,5 kW, cela se traduirait par un gain de l’ordre de 0,36% en termes de rendement, selon les tests réalisés par la société. Le TK040N65Z est disponible dans un boîtier TO-247 standard.