Fabriqués sur des tranches de 12 pouces, les IGBT6 Trenchstop de l’allemand sont déclinés en deux famille, S6 et H6, en fonction des pertes affichées en conduction et en commutation.

Avec les IGBT6 Trenchstop, Infineon lance une nouvelle génération d’IGBT de 1200V. Ces composants sont optimisés pour les topologies à résonance et à commutation dure, avec des fréquences de commutation comprises entre 15 et 40kHz. Parmi les applications typiques concernées : les alimentations secourues (UPS), les onduleurs solaires, les chargeurs de batterie et le stockage de l’énergie.

Ces IGBT avec diode à recouvrement rapide et doux en anti-parallèle sont les premiers du genre à être fabriqués sur des tranches de 12 pouces. Ils sont déclinés en deux familles. La première (H6) englobe des composants dont les pertes en commutation sont minimales. La seconde (S6), concerne des IGBT présentant le meilleur compromis possible entre les pertes en régimes de conduction (V_CE(sat) de 1,85V) et de commutation. Les IGBT6 sont conçus pour remplacer directement les Highspeed3 H3 antérieurs de la société. Selon des tests réalisés par celle-ci, une telle opération se traduirait par des pertes moindres, et ce jusqu’à hauteur de 0,2%. Le coefficient de température positif facilite quant à lui la mise en parallèle. Pour l’heure, le catalogue d’IGBT6 Trenchstop 1200V comporte cinq éléments, dans la gamme 15A à 40A, en boîtiers TO-247 ou TO-247PLUS.