Cette découverte faite au Leti ouvre la voie à la combinaison de l’auto-assemblage de nanofils de silicium avec la technologie Cmos.
Le Leti, l’un des principaux instituts de recherche et développement spécialisé dans les micro et les nanotechnologies, a annoncé aujourd’hui une découverte importante dans le domaine des nanotechnologies.
Cette découverte résout un important problème pour l’utilisation industrielle des nanofils de silicium auto-assemblés, car elle permet une synthèse compatible avec la technologie la plus utilisée pour la fabrication de circuits microélectroniques. Elle pourrait donc avoir un impact sur ce marché en permettant l’ajout des nouvelles fonctionnalités fournies par les nanofils – telles que des capteurs ou le photovoltaïque – aux circuits intégrés conventionnels.
Les chercheurs du Leti ont réussi à réduire jusqu’à 400°C la température de synthèse des nanofils de silicium par CVD lorsque le cuivre est utilisé comme catalyseur. Ce résultat a été possible, parce qu’ils ont découvert que la température de synthèse des nanofils est limitée par la préparation du catalyseur et non par la croissance elle-même, comme on le pensait précédemment.
Les nanofils semiconducteurs font l’objet d’un important effort de recherche depuis 10 ans, car on envisage un nombre important d’applications. En biologie et en chimie, l’intérêt vient du fort rapport surface sur volume permettant une détection électrique très sensible de substances chimiques ou biologiques. Ce fort rapport de forme est aussi très utile dans le domaine du photovoltaïque. La faible masse des nanofils en fait également un système intéressant pour la détection mécanique de masse.
