Issu de la collaboration entre deux instituts de recherche, ce transistor refroidi dans l’hélium liquide est le plus véloce jamais réalisé selon une technologie basée sur du silicium.

Une équipe, associant des chercheurs de l’institut allemand IHP (Innovations for High Performance Microelectronics) de Francfort-sur-l’Oder et du Georgia Institute of Technology (Georgia Tech) d’Atlanta, ont fait la démonstration d’un transistor en SiGe fonctionnant jusqu’à la fréquence record de 798 GHz. Soit environ 200 GHz de plus que ce qui avait jusque-là été obtenu avec du silicium-germanium.

Fabriqué selon le procédé BiCmos 130 nm d’IHP, ce transistor dont la tension de claquage est de 1,7 V, a atteint cette performance à la température de 4,3 K (soit -269°C), grâce à un refroidissement dans l’hélium liquide. Dans sa forme actuelle, ce transistor pourrait intéresser le domaine spatial, où les températures rencontrées sont extrêmement basses. Testé à température ambiante, le transistor a fonctionné jusqu’à 417 GHz. Selon les protagonistes, le potentiel est là pour franchir la barre symbolique du terahertz.