Affichant une tenue en tension de 100V, le DMN10H120SFG de Diodes conjugue une faible résistance à l’état passant et un facteur de forme limité.

Sous la référence DMN10H120SFG, l’américain Diodes introduit un Mosfet canal N de 100V, conçu pour faire office de commutateur dans les applications de transport de l’alimentation électrique via les câbles Ethernet (Power over Ethernet ou PoE). Les cibles sont les points d’accès sans fil, les téléphones VoIP, les terminaux de point de vente, les caméras de sécurité, etc. La tension de service de ce transistor laisse une marge confortable, compte tenu de la tension de 48V mise en jeu dans les applications indiquées.

Le DMN10H120SFG est proposé dans un boîtier PowerDI3333-8, dont les dimensions sont de 3,3×3,3mm. Soit une surface de carte de 33% inférieure à celle occupée par un produit en boîtier SO-8. Sa résistance à l’état passant est de 110 et 122 mOhms, pour une tension grille-source de 10V et 6V, respectivement. A température ambiante de +25°C, le courant maximal de drain est alors de 3,8A ou 3,6A (3A et 2,9A à +70°C).