Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

TT Electronics annonce un Mosfet de puissance canal N en carbure de silicium conçu pour les applications haute température. Ce transistor de 650V/25A supporte en effet une température maximale de jonction de +225°C. Si la puissance maximale dissipée est donnée pour 90W à une température de jonction de 25°C, un déclassement de 0,45W/°C est de mise à partir de cette température. Référencé SML25SCM650N2B, le composant est proposé dans un boîtier céramique hermétique SMD1 (TO-276AB). Par rapport aux Mosfet en silicium traditionnels, il offre des pertes réduites et autorise un fonctionnement à des fréquence de commutation plus élevées.