Le sud-coréen augmente de plus de 20 % la productivité des lignes de production de ses mémoires Dram DDR4.

Samsung Electronics a mis au point sa troisième génération de mémoires Dram DDR4 de 8Gbits en technologie 1znm (gravure entre 10nm et 19nm), avec à la clé un gain de productivité de plus de 20% par rapport à la génération précédente. La production en volume démarrera au second semestre 2019, à temps pour équiper les serveurs et ordinateurs haut de gamme lancés en 2020. Fabriquées sur le site sud-coréen de Pyeongtaek sans avoir recours à une gravure par ultraviolets extrêmes (EUV), ces mémoires seront validées sous forme de modules de 8Go en collaboration avec un grand fabricant de microprocesseurs.