Cette réduction se traduit par une réduction des temps morts dans les topologies en pont et en demi-pont et par des pertes moindres dans les commutateurs synchrones en fonctionnement parallèle.

Pour le marché automobile, Toshiba Electronics Europe lance un Mosfet de puissance de 100V/160A référencé TK160F10N1L. Réalisé selon le process UMOS VIII-H du japonais, ce dernier est caractérisé par une faible résistance à l’état passant (2,4mOhms), alors que sa tension de seuil de grille a été resserrée. Celle-ci est désormais située dans l’intervalle 2,5V à 3,5V et non plus entre 2V et 4V comme auparavant.

Cette caractéristique est importante dans les applications de commutation, dans la mesure où elle contribue à réduire les temps morts dans les topologies en pont et en demi-pont. Par ailleurs, lorsque des Mosfet sont connectés en parallèle, une tension de seuil resserrée se traduit par une amélioration des performances en régime de commutation synchrone. Les pertes de commutation sont alors distribuées de manière plus uniforme entre tous les Mosfet. Le TK160F10N1L est proposé dans un boîtier TO-220SM(W) et est qualifié AEC-Q101.