Le boîtier miniature DSOP Advance dont bénéficieront certains Mosfet de la société permettra de gagner de la place sur la carte et d’améliorer la dissipation thermique.

Les Mosfet basse tension de Toshiba Electronics Europe sont désormais proposés dans des boîtiers compacts DSOP Advance offrant un refroidissement par les deux faces. Il en résulte une dissipation thermique améliorée.

Ce boîtier DSOP Advance affiche la même empreinte (5x6mm) que les SOP Advance. Des tests comparatifs réalisés sur un Mosfet de 30V ont montré qu’à 30A et plus la température de fonctionnement était réduite de 34%, dans le cas d’un DSOP Advance utilisé avec un radiateur adéquat. Dans certains cas, la faible résistance thermique affichée par ce boîtier permettra de faire l’impasse sur ce radiateur.

Les Mosfet qui bénéficieront de ce boîtier sont issus des séries UMOS VIII-H et UMOS IX-H. Dans un premier temps, l’option DSOP Advance sera retenue pour les Mosfet dont la tension nominale est comprise entre 30V et 100V.