L’adoption d’une technologie DMOS FET, et non plus bipolaire, se traduit par une réduction jusqu’à 40% des pertes énergétiques.
Toshiba Electronics Europe introduit une nouvelle génération de réseaux de transistors exploitant une technologie DMOS FET (Mosfet à double diffusion). Ces circuits de la série TBD62xxxA succèdent aux TD62xxxA à transistors bipolaires, des produits largement utilisés dans les applications de commande de moteur, de relais ou de LED. Les nouveaux venus sont 100% compatibles, tant au niveau fonctionnel que du brochage, avec leurs aînés.
L’adoption de pilotes de sortie DMOS FET permet de répondre aux exigences des utilisateurs en termes d’amélioration du rendement énergétique, dans la mesure où un courant de base n’est plus requis. Selon la société, par rapport aux TD62xxxA, les TBD62xxxA affichent des pertes réduites jusqu’à 40% (à température ambiante de 25°C et pour un courant de sortie de 200mA).
La série TBD62xxxA comporte pas moins de 24 références. Ainsi, les TBD62003A affichent une tension VIN(ON) minimale de 14V et acceptent des signaux d’entrée PMOS de 14V à 25V. Pour leur part, les TBD62503A, dont la tension VIN(ON) minimale est de 2,5V, supportent des signaux TTL ou CMOS 3V ou 5V, Enfin, les TBD62004A sont crédités d’une tension VIN(ON) minimale de 7V, pour accepter les signaux PMOS 6V à 15V, ou CMOS 5V.
Les produits seront proposés selon différents types de boîtiers : DIP classique, SOP/SOL pour le montage en surface, SSOP (au pas de 0,65mm) pour réduire l’encombrement. La production en volume est prévue pour le second semestre 2015.
