Conçu pour les topologies d’onduleurs à résonance, le GT40QR21 est un modèle 1200 V rapide intégrant sa diode de roue libre. Toshiba Electronics Europe complète son portefeuille d’IGBT avec un modèle 1200 V haute vitesse destiné aux applications de chauffage par induction.
Référencé GT40QR21, ce composant optimisé pour les topologies d’onduleurs à résonance intègre la diode de roue libre sur la puce.
Sa tenue en courant est de 40 A à 25 °C et de 35 A à 100 °C. La température maximale de jonction est ici de 175 °C.
La tension de saturation VCE(sat) est quant à elle de 1,9 V, pour un courant de collecteur de 40 A. A cette intensité, le temps de commutation (tf, temps de descente) est de 0,2 µs.
Enfin, le temps de recouvrement inverse de la diode est de 0,6 µs à 15 A.
Toutes les données précédemment indiquées sont des valeurs typiques.
Le composant est proposé dans un boîtier TO-3P(N) dont les dimensions sont de 15,5 x 20 x 4,5 mm. La résistance thermique jonction-boîtier de 0,65 °C/W.
