Cette gamme de composants de faibles dimensions se compose de Mosfet canal N ou P et de diodes Schottky, en versions simple ou double. Toshiba complète sa gamme de Mosfet et de diodes Schottky de moyenne puissance avec des composants optimisés pour les applications de recharge sans fil de batterie.
Ces diodes et ces Mosfet, à canal N ou P, sont crédités de faibles dimensions afin de répondre aux contraintes d’encombrement des appareils portables tels que téléphones mobiles, tablettes, caméscopes et appareils photo numériques, notebooks…
Parmi les nouveaux venus figure le double Mosfet canal N 30 V référencé SSM6N55NU. Ce dernier est proposé dans un petit boîtier UDFN6, dont les dimensions sont de 2 x 2 x 0,75 mm. La résistance à l’état passant n’excède pas 46 mOhms, à VGS=10 V et pour un courant de drain de 4 A.
Quant aux diodes (simples ou doubles), elles sont caractérisées par une tenue en tension inverse de 30 V et par une tension directe aussi basse que 0,45 V. Elles sont conditionnées dans des boîtiers allant du format USC (SOD-323) de 2,5 x 1,25 x 0,9 mm au boîtier CST2B de 1,2 x 0,8 x 0,6 mm.
Tous ces composants trouveront leur juste emploi dans les applications de commutation de charge, de redressement basse tension, de protection contre les courants inverses…
