Ce module combine un IEGT et une diode à recouvrement rapide en carbure de silicium. Le choix d’un tel matériau se traduit par des pertes moindres.

Toshiba Electronics Europe introduit un module de puissance de 3300V/1500A intégrant un IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) et une diode à recouvrement rapide (FRD, Fast Recovery Diode) en carbure de silicium. L’utilisation d’un tel matériau, et non de silicium, a pour effet de réduire fortement le courant de recouvrement inverse avec, à la clé, de faibles pertes lors de la mise en conduction. Les pertes sont encore minimisées grâce à une conception optimisée se traduisant par des inductances parasites limitées.

Référencé MG1500FXF1US71, ce module hybride est proposé dans un boîtier dont l’empreinte est de 140x190mm seulement. Les applications de traction ferroviaire et de commande de moteurs industriels, celles en rapport avec les énergies renouvelables et la distribution d’électricité sont notamment ciblées.

En phase de développement, ce module a été inséré dans une conception d’onduleur pour le ferroviaire. La taille du sous-système de commande du moteur, dispositif de refroidissement inclus, a ainsi été diminuée de 40%. Un autre avantage est lié à la réduction du bruit audible.