Conçus pour les convertisseurs à découpage nécessitant un courant de commutation inférieur à 5A, les quatre derniers Mosfet canal N de la société sont caractérisés par de faibles résistances à l’état passant.
Toshiba Electronics Europe annonce une nouvelle famille de Mosfet rapides haute tension, conçus pour les convertisseurs flyback mis en œuvre dans les applications d’éclairage à LED et autres systèmes nécessitant un courant de commutation inférieur à 5A. Au nombre de quatre, ces transistors canal N à superjonction tirent profit du process DTMOS IV de la société.
D’un côté, les TK3A90E de 2,5A et TK5A90E de 4,5A affichent une tenue en tension de 900V. Leurs résistances à l’état passant sont typiquement de 3,7 et 2,5 Ohms, respectivement. De l’autre, les TK4A80E de 4A, et TK5A80E de 5A sont des modèles de 800V. Leurs valeurs respectives de RDS(ON) sont de 2,8 et 1,9 Ohms. Par ailleurs, le courant de fuite maximal est limité à 10µA (VDS=60V), alors que la tension de seuil de grille est comprise entre 2,5 et 4V (pour un VDS de 10V et un courant de drain de 0,4mA). Tous ces Mosfet sont disponibles en boîtier TO-220SIS.
