Qualifiés AEC-Q101, les XPH4R10ANB et XPH6R30ANB affichent de faibles résistances à l’état passant, soit 4,1mΩ et 6,3mΩ, respectivement.

Toshiba Electronics Europe introduit des Mosfet de puissance canal N de 100 V, destinés aux applications automobiles, en petit boîtier CMS de type SOP Advance. Conçus pour les systèmes 48V, ces transistors de la série U-MOSVIII-H trouveront leur place dans les convertisseurs élévateurs de tension (boost) présents dans les alternateurs-démarreurs intégrés et les phares à Led, ainsi que dans les variateurs de vitesse, les régulateurs à découpage et les commutateurs de charge. Du fait de leur faible résistance à l’état passant, les XPH4R10ANB et XPH6R30ANB amélioreront le rendement des systèmes automobiles. En particulier, le XPH4R10ANB affiche une résistance à l’état passant de seulement 4,1mΩ. Pour le XPH6R30ANB, cette résistance est de 6,3mΩ.

Les deux Mosfet sont logés dans des boîtiers SOP Advance (WF) éprouvés pour les applications automobiles 48V. Ce type de boîtier est compatible avec les méthodes d’inspection optique automatisée. Le XPH4R10ANB supporte un courant de drain de 70A en continu et de 210A en mode pulsé. Pour le XPH6R30ANB ces intensités sont respectivement de 45A et 135A. La température maximale de fonctionnement est de 175°C.