Le japonais utilise des liaisons traversantes au lieu des classiques fils de liaison.

Toshiba développe une mémoire flash Nand à 16 puces empilées et reliées non pas par des fils de liaison classiques (wire bonding), mais par des liaisons traversantes TSV (Trough-Silicon Vias). Le japonais en a même présenté un prototype lors du récent Flash Memory Summit.

La technologie TSV de Toshiba permet d’atteindre des débits d’entrée-sortie supérieurs à 1Gbit/s tout en consommant moitié moins d’énergie par rapport aux modèles actuels du japonais, avec une tension de fonctionnement de 1,8V pour les puces mémoires elles-mêmes et 1,2V pour le circuit d’entrée-sortie à la base de l’empilement.