Le double Mosfet SSM6N813R, à haut nivau de protection contre les décharges électrostatiques, est un choix tout indiqué pour piloter les LED des phares automobiles.
Toshiba Electronics Europe introduit un double Mosfet canal N présentant un haut niveau de protection contre les décharges électrostatiques (ESD). Référencé SSM6N813R, le nouveau venu est destiné aux applications automobiles durcies. Il sera ainsi un choix tout indiqué pour piloter les LED des phares. Qualifié AEC-Q101, le circuit est caractérisé par une tension drain-source maximale de 100V. Fonctionnant jusqu’à 175°C, il est à même de dissiper 1,5W (2,5W pendant 1s). La résistance à l’état passant RDS(ON) est quant à elle de seulement 110 mΩ(valeur typique à VGS = 4,5 V). Enfin, le courant de drain (ID) peut monter jusqu’à 3,5A (jusqu’à 7A en mode pulsé).
Le SSM6N813R est proposé dans un boîtier TSOP6F, dont les dimensions sont de 2,9×2,8×0,8mm. Ce qui correspond à la taille d’un boîtier SOT23.
