Les TK3R1E04PL (en boîtier TO-220) et TK3R1A04PL (en boîtier TO-220SIS) affichent typiquement une résistance à l’état passant de 2,5Ohms et une capacité de sortie de 1000pF.

Toshiba Electronics Europe ajoute deux références à sa famille de Mosfet U-MOS IX-H pour applications de commutation rapide. Les TK3R1E04PL (en boîtier TO-220) et TK3R1A04PL (en boîtier TO-220SIS) sont des Mosfet canal N de 40V, dont la vocation est d’améliorer les performances et réduire la consommation des dispositifs de conversion d’énergie tels que les convertisseurs DC-DC et les alimentations AC-DC à découpage.

Ces deux transistors acceptent une tension de grille de ±20V et sont aptes à fournir un courant de drain de 100A (TK3R1E04PL) ou 82A (TK3R1A04PL). Leur résistance à l’état passant est typiquement de 2,5 mOhms (à V_GS=10V), pour une capacité de sortie (C_OSS) de 1000pF. La tension maximale de canal est de 175°C.