Le TPH1R204PB bénéficies des dernières avancées de la technologie U-MOS-IX-H du japonais. Il convient aux applications nécessitant de faibles niveaux d’IEM.
Toshiba Electronics Europe introduit un nouveau Mosfet en tranchée exploitant sa technologie U-MOS-IX-H de dernière génération. Ce transistor de 40V, avec diode à recouvrement doux intégrée, convient au redressement synchrone au secondaire des alimentations à découpage, lorsqu’un faible niveau d’interférences électromagnétiques (IEM) est requis.
Référencé TPH1R204PB, ce Mosfet canal N affiche une résistance maximale à l’état passant de 1,2 mOhm (à VGS=10V et ID=50A). La charge de grille est de 62 nC (en valeur typique), alors que la charge en sortie (Qoss) n’excède pas 56 nC. Le transistor est proposé dans un boîtier SOP Advance, dont les dimensions sont de 5x6x0,95mm.
