Ces Mosfet avec diode rapide intégrée sont destinés aux alimentations à découpage et aux applications de commande de moteur.

Toshiba Electronics Europe complète son offre de Mosfet à superjonction issus de la famille DTMOSIV, avec deux versions de 600V avec diode rapide intégrée. Ceux-ci sont destinés aux alimentations à haut rendement et aux applications de commande de moteur en pont complet ou en demi-pont. Le temps de recouvrement inverse de la diode est pratiquement indépendant de la température, ce qui garantit une commutation rapide sur une large page de température.

Le modèle référencé TK5P60W5 (canal N, 600V/4,5A, 60W) affiche une résistance à l’état passant de 0,99 Ohm à 10V (tension grille-source) et est logé dans un boîtier DPAK (TO-252). Le temps de recouvrement de la diode est de 65ns, la capacité d’entrée de 370pF et la charge de grille de 11,5nC.

Le TK62N60W5 (canal N, 600V/61,8A, 400W) en boîtier TO-247 est quant à lui le Mosfet le plus puissant de la série. Sa résistance est de 45mOhms à 10V, sa capacité d’entrée de 6500pF et sa charge de grille de 205nC.

Le TK62N60W5 est déjà en production, alors que le TK5P60W5 le sera ce mois-ci.