Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

Sous la référence CUHS10F60, Toshiba Electronics Europe introduit une diode Schottky en silicium destinée aux applications de redressement ou de blocage des courants inverses dans les circuits d’alimentation. Cette diode rapide est proposée dans un nouveau boîtier US2H (SOD-323HE) dont la résistance thermique jonction-ambiant est pratiquement de moitié inférieure (105°C/W au lieu de 150°C/W) à celle d’un boîtier USC traditionnel.

Par ailleurs, par rapport à une diode Schottky CUS04, le courant inverse maximal a été abaissé à 40µA (6µA typique), soit un gain de 40%. De plus, la tenue en tension inverse est désormais de 60V, et non plus de 40V. Enfin, la tension directe est de 0,46V et 0,56V (valeurs typiques), à 500mA et 1A, respectivement.

La CUHS10F60 est d’ores et déjà disponible en volume.