Qualifié AEC-Q101, le TK1R4S04PB en boîtier DPAK+ est crédité d’une résistance à l’état passant inférieure à 1,35 mOhm à 10V.
Toshiba Electronics Europe complète sa famille de Mosfet UMOS9 avec un modèle canal N de 40V en boîtier DPAK+ de 6,5×9,5mm. Qualifié AEC-Q101, le TK1R4S04PB est notamment destiné aux systèmes de commande de pompes (eau, essence, huile) et de ventilateurs, ainsi qu’aux directions à assistance électrique des véhicules automobiles.
Ce transistor est crédité d’une résistance à l’état passant très faible. Cette dernière est en effet inférieure à 1,35 mOhm, pour une tension grille-source de 10V. Ce qui, selon la société, constitue une valeur inédite pour un Mosfet de ce type. Un tel résultat est imputable à la technologie en tranchée utilisée et à un boîtier plus évolué que le DPAK traditionnel. Les fils de bonding sont ici remplacés par des clips de cuivre, directement montés sur la métallisation de la puce, afin d’offrir une surface de contact plus grande. Ce Mosfet serait également plus performant en régime de commutation et en termes de CEM que les produits de précédente génération du japonais.
