Les doubles Mosfet canal N de 40V et 60V en boîtier PDFN56 offrent une densité de puissance améliorée.
Taiwan Semiconductor, le fabricant de composants discrets (diodes, Mosfet) et de circuits intégrés dévolus à la gestion d’alimentation, élargit son portefeuille de produits avec une gamme de doubles Mosfet de puissance canal N en boîtier PDFN56. Référencés TSM110NB04DCR (40V, 48A, 11 mOhms à VGS=10V), TSM150NB04DCR (40V, 38A, 15 mOhms à VGS=10V) et TSM300NB06DCR (60V, 30A, 25 mOhms à VGS=10V), les nouveaux venus offrent une densité de puissance améliorée. La température maximale de jonction est de 150°C. Grâce à une charge de grille faible (18 à 25 nC), des fréquences de commutation rapides sont possibles.
Tous ces Mosfet sont testés en avalanche et en résistance de grille (Rg). Leur très faible RDS(on) a pour effet de minimiser les pertes de conduction. Les applications principales sont la commande de moteurs sans balais (BLDC), la gestion d’énergie des batteries, la conversion DC-DC et le redressement synchrone au secondaire.
