L’anglais fabrique ses premiers circuits mémoire dans la technologie FD-SOI 28 nm de ST.

sureCore vient de réaliser le premier circuit de démonstration de sa Sram basse consommation, fabriqué dans la technologie FD-SOI 28 nm de STMicroelectronics. Cette IP de mémoire Sram consomme 75 % d’énergie en moins en lecture et 50 % de moins en écriture d’après le fournisseur anglais. sureCore travaille actuellement à l’implémentation de cette Sram en Cmos 28 et 40 nm, ainsi qu’en technologie FinFET.