La résistance à l’état passant de ce Mosfet de puissance canal N référencé SCT20N120 est typiquement de 215 mOhms.
Avec le SCT20N120, STMicroelectronics introduit un Mosfet canal N de 1200V/20A en carbure de silicium. Ce transistor de puissance est crédité d’une résistance à l’état passant inférieure à 290 mOhms, pour 215 mOhms en valeur typique à VGS=20V et ID=10A.
Proposé dans un boîtier HiP247 à performances thermiques améliorées, le SCT20N120 supporte une température de jonction de 200°C. Il trouvera son juste emploi dans les onduleurs solaires, les alimentations à découpage et UPS, les convertisseurs DC-DC, les systèmes de commande de moteur… Par quantité de 1000 pièces, son prix unitaire est de 8,5$.
