Le spécialiste des semi-conducteurs et des plates-formes dédiés au sans fil opte pour cette technologie qui permettra aux terminaux mobiles de gagner 4 heures à 1 jour d’autonomie supplémentaire.
ST-Ericsson vient de retenir la technologie FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) de Soitec, spécialiste mondial du silicium sur isolant et des systèmes solaires à concentration, pour la fabrication de ses processeurs NovaThor de nouvelle génération, processeurs conçus pour les terminaux mobiles (téléphones mobiles, etc).
Par rapport au CMOS classique, dont elle utilise les mêmes outils de conception et de fabrication, la technologie FD-SOI permet de meilleures performances, notamment une moindre consommation.
Elle autorise jusqu’à 35 % de réduction de la consommation, note le communiqué Soitec. Ce qui, pour l’utilisateur final, se traduira par “quatre heures supplémentaire de navigation Internet à haute vitesse ou jusqu’à un jour d’autonomie additionnel“.
En outre, “le FD-SOI résout les problèmes de fuite de courant et de variabilité des caractéristiques des transistors rencontrés avec le CMOS à partir du nœud technologique 28 nm“, annonce Soitec.
Par rapport à la technologie à transistor vertical FinFET, qui est directement concurrente du FD-SOI, la technologie FD-SOI demeure planaire et permet donc l’utilisation des outils conventionnels de production.
En outre, “elle permet la mise en œuvre de techniques avancées de contrôle du transistor, comme le back-bias, non utilisables avec les transistors FinFET“, souligne Joël Hartmann, assistant du general manager Technology R&D chez STMicroelectronics.
