Ces transistors offrent une commutation rapide, une forte intensité de courant et un comportement thermique amélioré. SemiSouth Laboratories a procédé à l’échantillonnage des premiers Jfet 650 V en carbure de silicium du marché.
La structure en tranchée verticale adoptée permet à ces derniers d’afficher de très faibles résistances à l’état passant.
La société estime ainsi entre 5 et 10 le gain obtenu par rapport aux produits exploitant des technologies alternatives.
Ainsi, le modèle référencé SJDA065R055, normalement fermé, est crédité d’un RDS(on) n’excédant pas 55 mOhms à 25 °C, pour un courant de drain de 20 A et une tension grille-source de 2 V.
A une température de jonction de 100 °C, cette résistance est typiquement de 70 mOhms.
Par ailleurs, ces Jfet en boîtiers TO-220 affichent un coefficient de température positif, facilitant leur mise en parallèle, et une commutation rapide sans courant de queue.
Ils visent un large champ d’applications : les onduleurs solaires, les alimentations à découpage, la correction du facteur de puissance, le chauffage par induction, les alimentations secourues et la commande de moteur.
