Il est ici question de modèles 1700 V et 1200 V, proposés en boîtiers TO-247 ou sous forme de puces nues. SemiSouth Laboratories, le spécialiste américain des semiconducteurs en carbure de silicium, annonce deux nouveaux Jfet tirant profit de ce matériau.
Le premier, référencé SJEP170R550, est un modèle 1700 V destiné aux alimentations auxiliaires utilisées dans les applications de commande de moteur. Vis-à-vis des Mosfet silicium usuels, il offre une résistance à l’état passant (550 mOhms) cinq fois moindre, de même qu’une capacité de sortie (20 pF) et une charge de grille (10 nC) dix fois plus faibles.
Le second est le SJDP120R085, normalement ouvert, dont la tension de blocage est de 1200 V. Par rapport à la version équivalente normalement fermée, il présente une RDS(on) réduite de 15 % (85 mOhms au lieu de 100 mOhms), un courant de saturation double et ne requiert aucun courant de grille en mode de conduction.
Ces deux transistors sont disponibles sous forme de puces nues ou en boîtiers TO-247.
