Le sud-coréen prépare des disques durs basés sur des mémoires dites Z-Nand, offrant une latence et une vitesse de lecture améliorées.

Alors que la mémoire flash 3D XPoint de Micron/Intel demeure nimbée de mystère, Samsung en profite pour annoncer ses premiers disques durs dits Z-SSD expoitant ses nouvelles mémoires flash baptisées Z-Nand ainsi qu’un contrôleur revu et corrigé pour l’occasion.

Selon Samsung, ces disques durs offrent des performances de latence et de vitesse de lecture au moins similaires à celles des systèmes utilisant des mémoires à changement de phase (Pram), la technologie sur laquelle les mémoires XPoint sont suspectées d’être basées.

Le sud-coréen n’a pas réellement détaillé le fonctionnement de ces mémoires Z-Nand, mais elles pourraient exploiter une architecture classique SLC avec un mode d’adressage original mettant en oeuvre plusieurs plans de mémoire adressables simultanément.