Le sud-coréen promet un gain de consommation de 25% par rapport aux modèles 25nm actuels.

Samsung vient de lancer la production en volume de ses premières mémoires Dram DDR3 fabriquées en technologie 20nm. Ces puces de 4Gbits tirent profit d’une technologie de double patterning modifiée compatible avec les équipements de lithographie existants et extensible jusqu’en 10nm selon le sud-coréen. Par rapport aux modèles 25nm existants, les versions 20nm consomment jusqu’à 25% d’énergie en moins.