Le sud-coréen lance la production en volume de mémoires flash Nand à empilement vertical sur 64 couches pour de nombreuses applications grand public et professionnelles.

Samsung vient d’initier la production en volume d’une mémoire flash à cellules empilées V-Nand à 64 couches intégrant pas moins de 256Gbit de données. Cette mémoire est destinée au stockage de données pour les applications PC, mobiles et serveurs. L’architecture à 64 couches, qui illustre la quatrième génération de mémoires V-Nand du sud-coréen, devrait représenter plus de la moitié de sa production mensuelle de puces flash Nand d’ici la fin de l’année. 

Cette mémoire de 256Gbit embarque 3 bits par cellule et offre un débit de données de 1Gbit/s avec un délai d’écriture par page de l’odre de 500µs. Par rapport aux flash V-Nand à 48 couches de Samsung, ces modèles à 64 couches présentent une consommation réduite de 30% (elles sont alimentées sous 2,5V et non plus sous 3,3V), une longévité améliorée de 20% et un gain de productivité de 30% selon le fabricant.