Le Sud-Coréen a développé des circuits d’alimentation spécialement conçus pour les barrettes de mémoire Dram DDR5, atteignant un rendement de plus de 90%.

Samsung Electronics échantillonne les S2FPD01, S2FPD02 et S2FPC01, des circuits d’alimentation optimisés pour les barrettes DIMM de mémoire Dram DDR5. Cette alimentation est désormais située au sein de la barrette et non plus sur la carte mère, d’où le besoin de composants dédiés. Les circuits de Samsung peuvent alterner entre une modulation en largeur d’impulsions (PWM) et en fréquence d’impulsions (PFM) selon la charge. Ils sont dotés d’une commande de grille hybride et d’une architecture asynchrone à deux phases. Le rendement maximal atteint 91%.

Les S2FPD01 et S2FPD02 ciblent les serveurs de données – le premier pour les faibles densités de mémoire, le second pour les densités plus élevées. Le S2FPC01, lui, est destiné aux ordinateurs grand public. Ces circuits sont fabriqués en technologie 90nm.