Le sud-coréen a raffiné sa technologie de puces empilées à liaisons traversantes (through silicon vias) et prépare des mémoires HBM de 24 Go.

Samsung Electronics a développé une technologie de liaisons traversantes sur silicium (TSV) à douze couches, une première dans l’industrie selon le sud-coréen. Cette technologie permet par exemple d’empiler douze puces de mémoire Dram dans un seul boîtier au moyen de plus de 60.000 trous TSV, tout en conservant la même épaisseur totale, 720µm, que les actuelles mémoires HBM2 à huit couches. Samsung prévoit ainsi de produire bientôt des mémoires HBM de 24Go, soit douze puces de 16Gbits empilées.