Le sud-coréen adoptera les EUV pour ses process FinFET à partir du 7 nm et une nouvelle structure de transistor dès le 4 nm, tout en développant une version 18 nm de sa technologie FD-SOI.

Samsung vient de préciser sa roadmap concernant ses technologies de production de semi-conducteurs. Le process 8nm 8LPP reprendra l’essentiel des avancées de l’actuelle technologie 10nm du sud-coréen, et sera la dernière technologie FinFET à ne pas recourir aux ultraviolets extrêmes (EUV). Les EUV seront en revanche bien présents dans les technologies 7LPP, 6LPP et 5LPP, avec des sources d’une puissance de 250W. Enfin, Samsung prévoit, avec sa technologie 4nm 4LPP, d’expérimenter une nouvelle architecture de transistor dite MBCFET (multi bridge channel FET), de type GAAFET (gate all around FET), censée repousser les limites structurelles des transistors FinFET.

Samsung a également réitéré son intérêt dans les technologies FD-SOI, qu’il juge parfaitement adaptées aux besoins de l’Internet des objets. L’actuelle 28FDS se verra agrémentée d’options RF et MRam. Une version 18nm, baptisée 18FDS, est d’ores et déjà prévue.