Le Coréen promet, pour le second semestre 2010, des modules de 4 Go consommant moins de 3 W. Samsung soumet actuellement à l’évaluation de ses clients les premières mémoires Dram DDR3 fabriquées en technologie Cmos 30 nm de l’industrie. Ces puces de 2 Gbits, qui fonctionnent sous 1,35 à 1,5 V, seront disponibles en volume au second semestre. Selon le Coréen, un module Dram 4 Go bénéficiant de cette technologie ne consommerait que 3 W (30 % de moins que la génération précédente) pour un coût de production divisé par deux.