Profitant d’une technologie de production high-k metal gate, une barrette mémoire Dram DDR5 de 512Go du Sud-Coréen se destine d’abord aux équipements réseaux et informatiques à hautes performances.
Samsung a mis au point une barrette mémoire Dram DDR5 de 512Go exploitant sa technologie de grille métallique à forte constante diélectrique HKMG (high-k metal gate). Généralement utilisée pour les circuits logiques comme les processeurs, cette technologie appliquée à des cellules Dram permet de remplacer la couche d’isolation, dont la finesse accrue induit des courants de fuite supérieurs. Samsung assure obtenir ainsi une réduction de la consommation de 13%, alors même que les performances sont doublées par rapport à la génération DDR4 avec un débit de données brut de 7200Mbit/s.
Le module est basé sur des empilements de huit couches de puces de 16Gbits chacune, empilements obtenus au moyen de liaisons traversantes TSV (through-silicon via). Le Sud-Coréen échantillonne actuellement différents formats autour de ces mémoires DDR5, en direction des applications haut de gamme comme l’intelligence artificielle, l’apprentissage automatique et les centres de données.
