Le sud-coréen présente la première mémoire HBM2E, un modèle de 16 Go délivrant jusqu’à 410 Go/s aux applications haut de gamme.
Samsung a profité de la GTC (GPU technology conference) de Nvidia, qui vient de s’achever à San Jose (Californie), pour présenter Flashbolt, la première mémoire répondant à la spécification HBM2E. Chaque Flashbolt de 16Go compend huit puces de 16Gbit empilées, reliées par liaisons traversantes TSV. L’ensemble offre un bus de 1024 bits avec un taux de transfert culminant à 3,2Gbit/s par broche, soit une bande passante globale de 410Go/s. A titre de comparaison, la précédente mémoire HBM2 du sud-coréen, baptisée Aquabolt, était limitée à une capacité de 8Go et un débit de 307,2Go/s.
Ces mémoires visent les applications les plus exigeantes comme les centres de données, l’intelligence artificielle et les applications graphiques avancées.
