Le sud-coréen produit désormais des circuits intégrant une mémoire Mram dans sa technologie FD-SOI 28 nm.

Samsung a démarré la production commerciale d’un circuit embarquant une mémoire Mram et gravé dans sa technologie FD-SOI 28nm. Outre le fait que la mémoire Mram est censée migrer plus facilement que la flash dans des géométries plus fines, Samsung cite comme avantages un gain en vitesse d’écriture d’un facteur 1000, ainsi qu’une consommation moindre dûe à une tension de fonctionnement inférieure. Ce type de mémoire sera utilisé par le sud-coréen pour des microcontrôleurs et des circuits pour objets connectés. un prototype embarquant 1Gbit de Mram sera produit dans le courant de l’année.