Le sud-coréen inaugure une nouvelle génération de mémoires Dram pour smarphones et applications nomades, avec une consommation d’énergie réduite de 10 %.

Samsung a entamé la production en volume de sa deuxième génération de mémoires Dram LPDDR4X produites en technologie 10nm (ce qui, chez le sud-coréen, n’est qu’une appellation générique indiquant des géométries de gravure comprises quelque part entre 10nm et 19nm). Ces modèles de 16Gbit (2Go) se distinguent de la première génération par une consommation réduite de 10% à débit de données égal (4266Mbit/s). Ils seront rapidement complétés par des boîtiers intégrant 4, 6 et 8Go : un tel boîtier de 8Go, combinant quatre puces LPDDR4X et délivrant jusqu’à 34,1Go/s, a d’ores et déjà été développé par Samsung, avec une épaisseur inférieure de 20% à celle des boîtiers équivalents de génération précédente.

Ces mémoires Dram mobiles sont fabriquées sur la nouvelle ligne de production domestique du fabricant, à Pyeongtaek.