Encapsulés dans un boîtier de 0,6×0,6×0,36 mm, les Mosfet annoncés par la société sont typiquement conçus pour les produits mobiles et portables, affichant de fortes contraintes d’encombrement.

Pour les smartphones et autres produits mobiles, Rohm a dévoilé une famille de transistors petits signaux dont la particularité tient à leur extrême compacité. Ces Mosfet sont en effet encapsulés dans un boîtier VML0604 de 0,6 mm de côté, pour une épaisseur de 0,36 mm. Par rapport au format VML0806 précédent, dont l’empreinte était de 0,48 mm², le gain obtenu est de 50 %. L’espacement entre les terminaisons est quant à lui maintenu à 0,2 mm.

Malgré la faible taille des éléments, la résistance à l’état passant reste limitée. Ainsi, pour le modèle RV3E007AJ (30 V/0,7 A), cette résistance est typiquement de 0,25 Ohm, pour une tension grille-source de 4,5 V.

L’offre de la société est déclinée en huit Mosfet, canal N ou canal P, dont la tension de claquage est comprise entre 20 V et 60 V. Ceux-ci sont actuellement échantillonnés, pour une disponibilité en volume en juin prochain.