Conçu pour les applications industrielles, ce Mosfet à forte tension de claquage affiche des pertes de conduction bien inférieures à celles de ses homologues en silicium.

Rohm introduit un Mosfet de puissance de 1700V/3,7A en carbure de silicium optimisé pour les alimentations auxiliaires des équipements industriels (onduleurs universels, équipements de fabrication, robots…). Référencé SCT2H12NZ, ce Mosfet canal N, à forte tension de claquage, est typiquement crédité d’une résistance à l’état passant de 1,15 Ohm. Par rapport aux solutions conventionnelles exploitant des Mosfet en silicium, les pertes en régime de conduction s’en trouvent singulièrement réduites. A cet égard, la société annonce un gain d’un facteur huit.

En associant ce transistor au circuit de contrôle d’onduleur AC-DC de la société (en l’occurrence le BD7682FJ-LB), il serait possible d’obtenir un rendement énergétique amélioré de plusieurs points (jusqu’à 6%). Le SCT2H12NZ est disponible en boîtier TO-3PFM. Une version en boîtier TO-268-2L (CMS) est actuellement en développement. Une carte d’évaluation (BD7682FJ-LB-EVK-402) est également  mise à disposition.